9月25日消息，臺積提升近日，進展較臺積電公布了其下一代A14（1.4nm）工藝的順利最新進展，稱其進展順利，良率良率表現優于預期。表現

除了良率，優于預期A14工藝在性能和能效方面相較于N2工藝有著顯著的臺積提升提升，具體來說，進展較A14性能比N2快15%，順利功耗降低了30%。良率

臺積電計劃在A14工藝中采用第二代GAAFET納米片晶體管和全新的表現NanoFlex Pro標準單元架構，這些技術的優于預期應用將使芯片密度比N2工藝提升高達20%。

這意味著在相同的臺積提升芯片面積上，可以容納更多的進展較晶體管，從而實現更高的順利計算能力和更低的功耗。

目前，臺積電預計A14工藝將在2028年進入量產階段，蘋果、英偉達和AMD等大客戶也將采用這一新工藝，A14有望在未來幾年內成為推動消費電子產品性能提升的關鍵力量。

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