9月18日消息，昇騰首發(fā)式今日舉辦的自研華為全聯(lián)接大會2025上，華為輪值董事長徐直軍首次公布了昇騰芯片演進和目標。存正

他表示，布最未來三年，大GB帶華為已經(jīng)規(guī)劃了昇騰多款芯片，昇騰首發(fā)式包括昇騰950PR、自研950DT以及昇騰960、存正970。布最其中昇騰950PR 2026年第一季度對外推出，大GB帶該芯片采用了華為自研HBM。昇騰首發(fā)式

根據(jù)現(xiàn)場公布的自研信息，昇騰950PR芯片架構(gòu)新增支持低精度數(shù)據(jù)格式，存正其中FP8/MXFP8/HIF8: 1 PFLOPS，布最MXFP4: 2 PFLOPS，大GB帶重點提升向量算力，提升互聯(lián)寬帶2.5倍，支持華為自研HBM高帶寬內(nèi)存，分為HiBL 1.0和HiZQ 2.0兩個版本。

規(guī)格方面，HiBL 1.0容量128GB，帶寬1.6TB/s；HiZQ 2.0容量144GB，帶寬4TB/s。

其中，昇騰950PR芯片采用950核心+HiBL 1.0內(nèi)存，可提升推理Prefill（預填充）性能，提升推薦業(yè)務性能。

昇騰950DT采用HiZQ 2.0內(nèi)存，可提升推理Decode（解碼）性能，提升訓練性能，提升內(nèi)存容量和帶寬。

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在大模型推理中，Prefill階段負責接收完整輸入數(shù)據(jù)（如文本或圖像），并計算緩存。這一過程需要強大的算力支持，通常由高性能芯片完成。 該階段強調(diào)算力而非內(nèi)存帶寬，因此更適合在HBM（高帶寬內(nèi)存）芯片上運行。相比之下，后續(xù)的Decode階段更依賴高速內(nèi)存?zhèn)鬏敽突ヂ?lián)方案。

HBM（High Bandwidth Memory，高帶寬內(nèi)存）是一種基于3D堆疊技術(shù)的先進DRAM解決方案，多層DRAM芯片垂直集成，顯著提升數(shù)據(jù)傳輸效率。具有超高帶寬與低延遲、高容量密度、高能效比等優(yōu)勢，能協(xié)助快速處理數(shù)據(jù)密集型的AI任務。

美國國際戰(zhàn)略研究中心（CSIS）AI專家艾倫（Gregory Allen）解釋，HBM對于制造先進AI芯片至關(guān)重要，價值約占整體芯片的一半。

AI推理需頻繁調(diào)用海量模型參數(shù)（如千億級權(quán)重）和實時輸入數(shù)據(jù)。HBM的高帶寬和大容量允許GPU直接訪問完整模型，可避免傳統(tǒng)DDR內(nèi)存因帶寬不足導致的算力閑置。對于千億參數(shù)以上的大模型，HBM可顯著提升響應速度。

當下，HBM已成為高端AI芯片的標配，訓練側(cè)滲透率接近100%，推理側(cè)隨模型復雜化加速普及。

(責任編輯：探索)