9月28日消息，俄羅俄羅斯計算機與數據科學博士Dmitrii Kuznetsov近日通過X平臺曝光了俄羅斯最新的斯光光刻機研發路線圖，顯示俄羅斯最快將在2026年完成65-40nm分辨率的刻機刻機又黃又精彩的軟件光刻機的研發，2032年前完成28nm分辨率的圖曝光刻機的研發，并最終在2036年底前完成可以生產10nm以下先進制程的光年V光全新極紫外線光（EUV）光刻機的研發。

其實，底前早在2024年12月，完成俄羅斯科學院微觀結構物理研究所就已經公布由其主導研發的俄羅EUV光刻機計劃，該EUV光刻機將采用波長為11.2nm的斯光鐳射光源，而非ASML 使用的刻機刻機又黃又精彩的軟件標準13.5nm波長，目標是圖曝打造比ASML 系統更經濟的EUV光刻機。而最新曝光的光年V光俄羅斯光刻機路線圖則相比之前得到了進一步完善，研發周期也一直延伸到了2036年。底前

具體來說，完成俄羅斯光刻機路線圖包括三個主要階段：

第一階段：計劃于 2026 年至 2028 年推出分辨率為 60-40nm 的俄羅光刻機，具有雙鏡物鏡光學系統、套刻精度可以達到10nm、曝光區域為 3 x 3mm，生產效率為每小時超過 5 片晶圓。

第二階段：計劃于2029-2032 年推出分辨率為 65-28nm （潛力為 14 nm）的光刻機，將采用四鏡物鏡光學系統、套刻精度5nm、曝光區域為26 x 0.5 mm，生產效率為每小時超過50片晶圓。

第三階段：計劃于2033-2036 年推出分辨率為 28-13nm（潛力為9nm）的光刻機，將采用六鏡物鏡光學系統、套刻精度2nm、曝光區域為26 x 2 mm，生產效率將提升至每小時超過100片晶圓。

需要指出的是，俄羅斯的光刻機路研發技術路線與ASML完全不同。比如，ASML 的 EUV 光刻機采用的是激光轟擊金屬錫滴產生13.5nm波的EUV光源，然后通過反射鏡收集并修正路線，最終達到晶圓表明的光刻膠。但是金屬錫會產生碎屑，從而污染光掩模（也稱光罩）。

相比之下，而俄羅斯光刻機則選擇采用的是基于氙（xenon）氣的激光器來產生波長為11.2nm的EUV光源，不僅能將分辨率提升約20%，還可以簡化設計并降低整個光學系統的成本。

此外，該設計還可減少光學元件的污染，延長收集器和保護膜等關鍵零件的壽命。

俄羅斯科學院微觀結構物理研究所稱，由于光刻工藝的簡化，其認為11.2nm的光刻技術將成為真正的193nm浸沒式DUV光刻機的真實替代品，這主要在于其無需浸沒系統，且分辨率高，成本低廉。

但是，俄羅斯的這個EUV光刻機路線并不僅僅是改換采用 11.2nm 的激光器這么簡單。

盡管11.2nm波長仍屬于EUV范疇，但這并非單純的小幅調整。因為所有光學元件包括反射鏡及涂層、光罩設計以及光阻劑，都需要針對新的波長進行特別設計與優化。

比如，ASML EUV光刻機的反射鏡采用的是硅與鉬的鍍膜反射鏡，而11.2nm波長的EUV光刻機則需要由釕和鈹（Ru/Be） 制成的反射鏡。

所以，激光光源、反射鏡、光阻化學、污染控制及其他支持技術也須重新設計，才能確保在11.2nm波長下的有效運作。

所以，以11.2nm波長為基礎的工具很難直接兼容現有以13.5nm為基礎EUV 架構與生態系統，甚至連電子設計自動化（EDA）工具也需要進行更新。

雖然現有EDA 工具仍可完成邏輯綜合、布局和路由等基本步驟，但涉及曝光的關鍵制程，如光罩數據準備、光學鄰近校正（OPC）和解析度增強技術（RET），則需要重新校準或升級為適合11.2nm的新制程模型。

總結來說，俄羅斯的自研的EUV光刻機技術雖然簡化了原本復雜的光源系統，并降低了這部分的成本，但是其并不能復用現有的EUV技術的零部件和材料，因此也會帶來很多的復雜性和成本的挑戰，需要俄羅斯自行開發配套的生態系統，而這可能需要數年甚至十年以上時間。

更為關鍵的是，俄羅斯研發的EUV光刻機還面臨著生產效率低下的問題。

雖然曝光的圖片顯示，其第三階段推出的EUV光刻機的生產效率可達每小時超過100片晶圓，但是這只有ASML EUV光刻機的一半。