8月17日消息，羲之據(jù)國內(nèi)媒體報道，中國近日，刻刀刻機全國首臺國產(chǎn)商業(yè)電子束光刻機在杭州“出爐”，首臺商業(yè)其精度比肩國際主流設(shè)備，國產(chǎn)光刻V光標志著量子芯片研發(fā)從此有了“中國刻刀”。電束
在杭州城西科創(chuàng)大走廊的機出浙江大學成果轉(zhuǎn)化基地測試現(xiàn)場，一臺模樣酷似大型鋼柜的爐和機器正在做應(yīng)用測試，電子顯示屏上不斷閃爍著實時參數(shù)。有何
團隊負責人表示，區(qū)別這不是羲之普通的機器，而是中國一支能在頭發(fā)絲上雕刻出整座城市地圖的“納米神筆”。依托省重點實驗室，刻刀刻機這臺研究院自主研發(fā)的首臺商業(yè)新一代100kV電子束光刻機“羲之”已正式投入市場。
據(jù)了解，國產(chǎn)光刻V光“羲之”取名自書法家王羲之，只不過它的‘毛筆’是電子束，在芯片上刻寫電路。
研發(fā)團隊相關(guān)負責人介紹，這臺設(shè)備專攻量子芯片、新型半導體研發(fā)的核心環(huán)節(jié)，它通過高能電子束在硅基上“手寫”電路，精度達到0.6nm，線寬8nm，可靈活修改設(shè)計無須掩膜版，如同用納米級毛筆在芯片上精準作畫，特別適合芯片研發(fā)初期的反復(fù)調(diào)試。
此前，此類設(shè)備受國際出口管制，中國科學技術(shù)大學、之江實驗室等國內(nèi)頂尖科研機構(gòu)長期無法采購，“羲之”的落地有望打破這一困局。
其定價低于國際均價，目前已與多家企業(yè)及科研機構(gòu)展開接洽。
那電子束光刻機和我們經(jīng)常聽到的EUV光刻機有何區(qū)別呢？
電子束光刻機（Electron Beam Lithography，EBL）是半導體制造中一種關(guān)鍵的圖形化技術(shù)。電子束光刻采用電子源，利用電子束轟擊電子抗蝕劑，被電子輻照過的抗蝕劑發(fā)生分子鏈重組，從而留下相應(yīng)痕跡。通過電磁場控制電子束的運動方向，改變電子束在抗蝕劑上寫入的軌跡，進而在基底上得到需要的圖案信息。
不過，電子束光刻機采用逐點掃描的方式，掃描速度慢，每幾個小時才能 “雕刻”1片晶圓，效率遠低于EUV 光刻機。但精度更高，如 “羲之” 電子束光刻機精度達0.6nm。
相比之下，EUV光刻機利用極紫外光（13.5nm）作為能量源，通過掩模版投影的方式，全片一次性曝光來實現(xiàn)圖案轉(zhuǎn)移，效率更高。精度相對較低，ASML生產(chǎn)的High NA EUV光刻機精度可達2nm水平。
所以，電子束光刻機適合小批量高精度需求，如高端芯片的小批量生產(chǎn)、改進迭代，以及掩模版制作等。
而EUV光刻機主要用于大規(guī)模集成電路制造，如 CPU、DRAM 等商業(yè)化半導體生產(chǎn)。
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