周五晚間的傳終最新市場消息稱，經歷多次挫折后，于通三星電子的過英12層HBM3E高寬帶存儲芯片終于獲得算力巨頭英偉達的首肯。
據知情人士透露，偉達三星的認證第五代12層HBM3E近期剛通過英偉達的資格測試。這一批準距離三星完成芯片開發已有18個月之久，戰火期間的全面數次測試均未能滿足英偉達苛刻的性能要求。
技術資料顯示，傳終英偉達的于通旗艦B300人工智能加速器，以及AMD的過英MI350等系統均部署這種大容量存儲芯片。三星此前已經向AMD出貨該芯片，偉達但一直卡在英偉達的認證供應商門檻前。因此，戰火這一認證也有恢復三星技術信譽的全面重要作用。
業內人士透露，傳終這一成就很大程度上歸功于三星電子芯片業務負責人全永賢年初拍板重新設計HBM3E的DRAM核心，解決了早期版本的熱性能問題。
但由于三星是SK海力士、美光科技后第3家獲得批準的供應商，消息人士稱英偉達的訂單量仍會相對較少。因此一位業界高管評價稱：“供貨英偉達對于三星而言，更多是關乎自豪感，而非營收。得到英偉達的認可意味著其技術已重回正軌。”
HBM4戰火猛烈
三星電子的歸位，也意味著HBM4的大戰全面升溫。
作為第六代高帶寬內存，英偉達計劃在明年上市的下一代Vera Rubin架構上使用這種芯片。
據悉，三星計劃采用其最先進的10納米級（1c）DRAM制程，并配備由其代工廠生產的4nm邏輯芯片。其他競爭對手采用的是上一代1b制程和12納米邏輯芯片。
作為關鍵競爭指標，英偉達已經要求供應商將HBM4的數據傳輸速度推高至每秒超過10Gb，大幅高于8Gb的行業標準。知情人士透露，三星已經展示了達到11Gbps的能力，高于SK海力士的10Gbps，而美光科技則難以滿足這一要求。
知情人士透露， 三星計劃本月向英偉達大量出貨HBM4樣品，旨在盡早獲得認證。公司此前曾表示，正在與英偉達、博通以及谷歌等主要AI芯片廠商就HBM4進行洽談，最早可以在2026年上半年開始大規模出貨。
如果能夠在HBM4的競爭中盡早獲得英偉達認證，三星有望在這一關鍵存儲器細分市場上奪回市場份額。
作為三星的關鍵競爭對手，SK海力士上周五表示，已完成HBM4的內部驗證和質量保證流程，并準備大規模量產。公司表示，其產品相比上一代實現了帶寬翻倍、能效提高40%。受此消息推動，SK海力士上周累計大漲超20%，本周又上漲7.46%，使得今年以來的漲幅達到102%。
美光科技也在6月10日宣布，已向多家關鍵客戶交付12層HBM4 36GB芯片樣品。
相關文章
精彩導讀
熱門資訊
關注我們
