9月12日消息，應(yīng)商藝供SK海力士這幾年來靠HBM內(nèi)存翻身成為第一大內(nèi)存廠商，上馬這兩天又宣布首發(fā)量產(chǎn)HBM4內(nèi)存，最先領(lǐng)先優(yōu)勢進一步擴大。進內(nèi)

原來的存工老大三星也坐不住了，但他們短時間內(nèi)超越SK海力士的應(yīng)商藝供HBM優(yōu)勢也不太可能，進度落后至少三個月，上馬所以他們希望能做第二大HBM4供應(yīng)商。最先

三星計劃在明年Q1季度完成HBM4認(rèn)證，進內(nèi)以便能趕上下半年放量供應(yīng)的存工NVIDIA下代GPU Rubin系列，后者將用上288GB HBM4內(nèi)存。應(yīng)商藝供

目前三星的上馬HBM4已經(jīng)完成內(nèi)部量產(chǎn)，并準(zhǔn)備生產(chǎn)樣品給客戶測試。最先

除了技術(shù)上的進內(nèi)準(zhǔn)備，三星也建設(shè)了新的存工工廠以擴大HBM4產(chǎn)能，該工廠位于韓國平澤，代號P5，原本去年就建好的，但是三星此前以半導(dǎo)體行業(yè)需求問題推遲了建設(shè)，現(xiàn)在重新啟動建設(shè)，預(yù)計本月完成基建工作。

為了能順利拿下NVIDIA的訂單，三星也在P5工廠下了血本，引入了第二代10nm級DRAM工藝——1c，要知道SK海力士量產(chǎn)的HBM4內(nèi)存也才是第五代10nm級工藝1b而已，三星直接把最先進工藝用于HBM4了。