9月28日消息，俄羅據(jù)報(bào)道，斯國(guó)俄羅斯計(jì)算機(jī)與數(shù)據(jù)科學(xué)博士Dmitrii Kuznetsov近日分享了俄羅斯最新光刻機(jī)研發(fā)路線圖。產(chǎn)光成9么免費(fèi)版網(wǎng)站

根據(jù)該路線圖，刻機(jī)俄羅斯最終目標(biāo)是圖曝在2036年前完成可用于10nm以下先進(jìn)制程的極紫外線（EUV）光刻機(jī)的研發(fā)。

具體來(lái)看分為三個(gè)主要階段：

第一階段（2026-2028年）的光步目標(biāo)是研發(fā)支持40nm工藝的光刻機(jī)，配備雙反射鏡物鏡系統(tǒng)，走年套刻精度達(dá)10nm，前完曝光場(chǎng)最大3×3毫米，俄羅每小時(shí)生產(chǎn)效率超5片晶圓。斯國(guó)9么免費(fèi)版網(wǎng)站

第二階段（2029-2032年）將推出分辨率為65-28nm（潛力為14 nm）的產(chǎn)光成光刻機(jī)，采用四反射鏡光學(xué)系統(tǒng)，刻機(jī)套刻精度提升至5nm，圖曝曝光場(chǎng)26×0.5毫米，光步每小時(shí)生產(chǎn)效率超50片晶圓。走年

第三階段（2033-2036年）推出分辨率為28-13nm（潛力為9nm）的光刻機(jī)，搭載六反射鏡配置，套刻精度達(dá)2nm，曝光場(chǎng)最大26×2毫米，每小時(shí)生產(chǎn)效率超100片晶圓。

這些設(shè)備預(yù)計(jì)可覆蓋65nm至9nm的制程需求，適配2025-2027年主流關(guān)鍵層工藝。

不過(guò)需要注意的是，該EUV系統(tǒng)方案并未復(fù)制ASML的架構(gòu)，而是采用了一套不同的技術(shù)體系：混合固態(tài)激光器、基于氙等離子體的光源，以及由釕和鈹（Ru/Be）制成的11.2nm波長(zhǎng)反射鏡。