9月18日消息，內(nèi)存三星多年來是后質(zhì)量全球最大的DRAM內(nèi)存供應(yīng)商，也是閃存最大的NAND閃存供應(yīng)商，然而這兩年來的也掉發(fā)展并不太順利。

內(nèi)存芯片方面，鏈星從DDR5時(shí)代就開始被SK海力士逆襲，缺陷HBM內(nèi)存更是內(nèi)存落后于SK海力士，以致于連續(xù)2個(gè)季度被SK海力士趕超，后質(zhì)量保持了二三十年的閃存內(nèi)存一哥讓位了。

閃存方面，也掉其他廠商現(xiàn)在都開始量產(chǎn)300層以上的鏈星TLC、QLC了，缺陷三星則被曝出QLC掉鏈子，內(nèi)存其第九代V9閃存做到了280層堆棧，后質(zhì)量去年4月就開始量產(chǎn)，閃存首批是TLC閃存，核心容量做到了1Tb。

2024年9月開始量產(chǎn)V9 QLC閃存了，但是被曝出有質(zhì)量缺陷，性能、延遲都有問題，全面量產(chǎn)V9 QLC閃存至少推遲到了2026年上半年。

三星的旗艦級(jí)QLC閃存依然停留在V7這一代，V8這一代也沒有QLC類型閃存。

QLC閃存容量更大，成本也更低一些，因此是AI時(shí)代最受歡迎的閃存，需求比TLC都要高，三星關(guān)鍵時(shí)候掉鏈子，對(duì)他們的營收和份額顯然會(huì)很不利。

在QLC閃存方面，SK海力士依然是當(dāng)前的記錄，8月份宣布第一個(gè)量產(chǎn)300+層的QLC閃存，達(dá)到了321層，并且已經(jīng)開始量產(chǎn)，而且接口速度翻倍，寫入性能還提升了56%，讀取性能也提升了18%。